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HSMP-3830-TR1
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF DIODE PIN 200V 250MW SOT23-3
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  • 参数详情:

    HSMP-3830-TR1是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款高性能射频PIN二极管,采用SOT-23-3封装。其核心优势在于极低的寄生参数,在50V反偏、1MHz下结电容仅0.3pF,在100mA正向电流、100MHz下串联电阻为1.5欧姆,这为高频电路提供了优异的信号隔离与低损耗导通特性。

    该器件具备200V的高反向耐压与1A的最大正向电流能力,最大功耗250mW,工作结温可达150°C,确保了其在射频开关、衰减器及调制电路等应用中的稳定性和可靠性。这些参数共同定义了其在控制射频信号路径方面的卓越性能。

  • 制造商产品型号:HSMP-3830-TR1
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:RF DIODE PIN 200V 250MW SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压-峰值反向(最大值):200V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:0.3pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):250mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • HSMP-3830-TR1的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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