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HSMS-2812-TR1
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
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  • 参数详情:

    HSMS-2812-TR1是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款SOT-23-3封装的射频肖特基二极管对。其核心价值在于为高频应用提供了低损耗的信号路径,关键参数包括1.2pF@0V的低结电容和15欧姆@5mA的串联电阻,这确保了其在MHz至GHz频段内优异的信号传输效率和带宽性能。

    该器件采用一对串联的肖特基结构,支持最高1A的正向电流和20V的峰值反向电压,并能在150°C的结温下工作,适合要求小型化、高可靠性的射频电路设计。它主要面向混频、检波、倍频等非线性信号处理应用,是通信及测试设备中常见的核心无源器件。

  • 制造商产品型号:HSMS-2812-TR1
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):20V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • HSMS-2812-TR1的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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