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HSMS-2702-TR1G
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:DIODE SCHOTTKY 15V 250MW SOT23-3
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  • 参数详情:

    HSMS-2702-TR1G是一款采用SOT-23-3封装的串联肖特基二极管对,专为射频应用优化。其关键参数包括15V的最大峰值反向电压、350mA的最大正向电流以及150°C的最高工作结温,确保了在苛刻环境下的稳定运行。

    该器件的核心卖点在于其卓越的高频性能。在1MHz测试条件下,其结电容低至6.7pF @ 0V,串联电阻仅为650毫欧 @ 100mA。这种低电容与低电阻的特性组合,最小化了高频信号路径中的损耗和失真,使其非常适合于要求高效率和信号保真度的射频电路设计,如检波器、混频器和高速开关电路。

  • 制造商产品型号:HSMS-2702-TR1G
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 15V 250MW SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:350mA
  • 不同Vr、F时电容:6.7pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:650 毫欧 @ 100mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):250mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • HSMS-2702-TR1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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