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HSMS-8207-TR1G
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-253-4,TO-253AA
  • 技术参数:DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4
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  • 参数详情:

    HSMS-8207-TR1G是一款由Broadcom(原Avago)推出的表面贴装射频肖特基二极管,采用2对串联的肖特基结设计,封装形式为紧凑的SOT-143-4(TO-253-4)。其核心电气特性针对高频小信号应用进行了优化,具备极低的结电容(0.26pF @ 0V, 1MHz)和串联电阻(14 Ohm @ 5mA, 1MHz),能有效最小化对射频通道的插入损耗和信号失真。

    该器件最大反向峰值电压为4V,最大功耗为75mW,工作结温可达150°C,确保了在苛刻环境下的可靠性。这些参数使其成为射频检波、平衡混频及高频开关等电路的理想选择,尤其适用于对电路线性度、对称性和空间布局有严格要求的通信与测量设备设计中。

  • 制造商产品型号:HSMS-8207-TR1G
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):4V
  • 电流-最大值:-
  • 不同Vr、F时电容:0.26pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:14 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):75mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-253-4,TO-253AA
  • HSMS-8207-TR1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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