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HSMS-282N-TR1G
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
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  • 参数详情:

    HSMS-282N-TR1G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款表面贴装射频肖特基二极管阵列。该器件集成了两对共阳极配置的肖特基二极管于微型的SOT-363封装内,专为高频、小信号应用而优化。

    其核心优势在于卓越的高频特性:在0V偏压和1MHz条件下,结电容低至1pF,确保了在高频段出色的信号完整性与低损耗;同时,在5mA正向电流下仅12欧姆的串联电阻,有效降低了导通压降。这些参数使其非常适用于UHF及以上频段的混频、检波和高速开关电路。

    该器件支持高达150°C的结温工作,峰值反向电压为15V,为射频前端设计提供了可靠的性能基础,常见于通信设备与测试仪器中。

  • 制造商产品型号:HSMS-282N-TR1G
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 对共阳极
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • HSMS-282N-TR1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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