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HSMS-282F-TR2G
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:SC-70,SOT-323
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323
  • (专注销售博通电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:

    HSMS-282F-TR2G是一款采用SOT-323封装的射频肖特基二极管对,其核心设计为1对共阴极结构。该器件针对高频应用优化,具备极低的结电容(典型值1pF)和串联电阻(典型值12欧姆),这确保了在微波频段下卓越的信号处理能力和低插入损耗。

    其关键参数包括15V的最大峰值反向电压和1A的最大电流,支持高达150°C的结温工作。这些特性使其非常适合于要求高频率响应、良好匹配性和紧凑布局的射频电路,如平衡混频器、检波器和高速开关等应用场景。

  • 制造商产品型号:HSMS-282F-TR2G
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:SC-70,SOT-323
  • HSMS-282F-TR2G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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