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HSMS-2829-TR2G
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-253-4,TO-253AA
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4
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  • 参数详情:

    HSMS-2829-TR2G是一款采用SOT-143-4封装的表面贴装肖特基交叉对管二极管,由安华高科技(Broadcom博通)生产。该器件专为高频射频应用设计,其核心卖点在于极低的寄生参数,典型结电容低至1pF(0V,1MHz),串联电阻为12欧姆(5mA,1MHz),确保了在微波频段下的低损耗和高效率。

    该二极管具备15V的最大反向峰值电压和1A的最大正向电流,工作结温可达150°C,提供了良好的电气鲁棒性和环境适应性。其交叉对管架构特别适用于需要对称信号处理的平衡混频、检波等电路。尽管产品状态为停产,但其优化的射频性能使其在通信、仪器仪表等领域的现有设计中仍是关键元件。

  • 制造商产品型号:HSMS-2829-TR2G
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT143-4
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 交叉
  • 电压-峰值反向(最大值):15V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-253-4,TO-253AA
  • HSMS-2829-TR2G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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