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HSMS-2802-TR1G
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT23-3
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  • 参数详情:

    HSMS-2802-TR1G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款表面贴装射频肖特基二极管对,采用SOT-23-3封装。其核心设计为两个串联的肖特基二极管,提供了高达70V的峰值反向电压和1A的最大正向电流,增强了电路的电压耐受能力和功率处理潜力。

    该器件的射频性能参数是其关键卖点。在1MHz下,其零偏置电容低至2pF,串联电阻仅为35欧姆(@5mA),这一低电容与低电阻的组合确保了在高频工作条件下具有极低的插入损耗和信号失真,适用于要求严苛的射频路径。其工作结温可达150°C,提升了环境适应性。这些特性使其非常适合用于高频检波、混频及开关电路。

  • 制造商产品型号:HSMS-2802-TR1G
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):70V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • HSMS-2802-TR1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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