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HSMP-3815-TR1G
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF DIODE PIN 100V SOT23-3
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  • 参数详情:

    HSMP-3815-TR1G是安华高科技(现属博通)推出的一款串联PIN对射频二极管,采用SOT-23-3封装。其核心优势在于结合了高电压耐受性与优异的射频性能,峰值反向电压达100V,最大正向电流为1A,为射频控制电路提供了坚实的可靠性基础。

    该器件在关键射频参数上表现卓越,在50V反偏、1MHz条件下电容值低至0.35pF,确保了高频信号路径中的低插入损耗;同时在100mA正向电流、100MHz条件下串联电阻仅为3欧姆,实现了良好的导通特性。这些特性使其非常适用于要求高隔离、低损耗的射频开关、衰减器及限幅电路,广泛应用于通信基础设施与测试测量设备中。

  • 制造商产品型号:HSMP-3815-TR1G
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):100V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:0.35pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:3 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • HSMP-3815-TR1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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