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HSMP-3812-TR1G
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:二极管 - 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF DIODE PIN 100V SOT23-3
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  • 参数详情:

    HSMP-3812-TR1G是一款采用SOT-23-3封装的射频PIN二极管,其核心价值在于为高频电路设计提供了优异的线性控制能力。该器件在50V反向偏压下的典型结电容低至0.35pF,确保了在高频应用中的低损耗性能;同时在100mA正向偏置下,其串联电阻仅为3欧姆,有利于降低导通状态下的插入损耗。

    凭借高达100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流额定值,该二极管能够承受一定的射频功率,适用于要求可靠性的严苛环境。其紧凑的封装和稳定的电气参数使其成为实现射频开关、衰减器及调谐电路等功能的理想选择,广泛应用于通信基础设施和测试测量设备中。

  • 制造商产品型号:HSMP-3812-TR1G
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT23-3
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 1 对串联
  • 电压-峰值反向(最大值):100V
  • 电流-最大值:1A
  • 不同Vr、F时电容:0.35pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F时电阻:3 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • HSMP-3812-TR1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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