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ATF-55143-TR1G
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 射频,封装:SC-82A,SOT-343
  • 技术参数:FET RF 5V 2GHZ SOT-343
  • (专注销售博通电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:

    ATF-55143-TR1G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款E-pHEMT射频场效应晶体管,采用SOT-343封装。该器件在2GHz频率下,于2.7V工作电压时能提供17.7dB的高增益和仅为0.6dB的优异噪声系数,同时具备14.4dBm的输出功率,实现了高增益、低噪声与良好线性度的平衡。

    其5V的额定电压和100mA的额定电流为设计提供了宽裕的操作空间。这些核心参数使其成为对接收机灵敏度有严苛要求的低噪声放大器(LNA)和驱动放大应用的理想选择,尤其适用于无线通信基础设施和测试测量设备的前端信号调理。

  • 制造商产品型号:ATF-55143-TR1G
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:E-pHEMT
  • 频率:2GHz
  • 增益:17.7dB
  • 电压-测试:2.7V
  • 额定电流(安培):100mA
  • 噪声系数:0.6dB
  • 电流-测试:10mA
  • 功率-输出:14.4dBm
  • 电压-额定:5V
  • 封装:SC-82A,SOT-343
  • ATF-55143-TR1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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