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ATF-541M4-BLK
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 射频,封装:0505(1412 公制)
  • 技术参数:IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM
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  • 参数详情:

    ATF-541M4-BLK是Broadcom(原安华高)推出的一款E-pHEMT射频晶体管,专为要求高增益、超低噪声和高线性度的应用而设计。其在2GHz频率下,于3V/60mA工作点时,可提供17.5dB的增益,同时噪声系数低至0.5dB,并能输出21.4dBm的功率,实现了低噪声放大器(LNA)中对噪声性能和线性输出能力的优异平衡。

    该器件采用0505紧凑封装,额定电压5V,最大电流120mA。其核心优势在于极佳的动态范围,既能灵敏地放大微弱信号,又能承受较大的输入信号而不产生严重失真,非常适合用于基站接收前端、卫星通信链路以及精密测试仪器等对射频性能有苛刻要求的场合。

  • 制造商产品型号:ATF-541M4-BLK
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:E-pHEMT
  • 频率:2GHz
  • 增益:17.5dB
  • 电压-测试:3V
  • 额定电流(安培):120mA
  • 噪声系数:0.5dB
  • 电流-测试:60mA
  • 功率-输出:21.4dBm
  • 电压-额定:5V
  • 封装:0505(1412 公制)
  • ATF-541M4-BLK的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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