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ATF-511P8-TR2供应商

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ATF-511P8-TR2

制造厂商：博通半导体公司（BROADCOM）

类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，封装：8-WFDFN

技术参数：FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

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参数详情：

ATF-511P8-TR2是一款基于E-pHEMT技术的射频场效应晶体管，采用8-WFDFN封装，专为2GHz及以下频段的高性能放大应用而优化。

其核心优势在于优异的性能平衡：在4.5V/200mA的典型工作条件下，提供14.8dB的高增益和低至1.4dB的噪声系数，同时具备30dBm的输出功率能力。7V的额定电压和1A的额定电流进一步确保了其在宽偏置范围内的稳定性和可靠性，适用于对动态范围和信号纯净度有严苛要求的射频前端设计。

制造商产品型号：ATF-511P8-TR2

制造商：Broadcom博通半导体（Avago Technologies 安华高）

描述：FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频

零件状态：停产

晶体管类型：E-pHEMT

频率：2GHz

增益：14.8dB

电压-测试：4.5V

额定电流（安培）：1A

噪声系数：1.4dB

电流-测试：200mA

功率-输出：30dBm

电压-额定：7V

封装：8-WFDFN

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