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ATF-331M4-TR1供应商
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ATF-331M4-TR1
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 射频,封装:0505(1412 公制)
  • 技术参数:IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK
  • (专注销售博通电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:

    ATF-331M4-TR1是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款采用pHEMT工艺的射频低噪声放大器芯片。该器件针对2GHz左右的微波频段优化,核心卖点在于其极低的噪声系数,典型值仅为0.6dB,能够显著提升接收系统的灵敏度。

    在提供超低噪声的同时,该芯片具备15dB的增益和19dBm的输出功率,确保了有效的信号放大能力和良好的线性度。其采用紧凑的0505表面贴装封装,工作电压最高5.5V,额定电流305mA,参数设计平衡,适用于对噪声性能要求苛刻的射频前端设计。

  • 制造商产品型号:ATF-331M4-TR1
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:pHEMT FET
  • 频率:2GHz
  • 增益:15dB
  • 电压-测试:4V
  • 额定电流(安培):305mA
  • 噪声系数:0.6dB
  • 电流-测试:60mA
  • 功率-输出:19dBm
  • 电压-额定:5.5V
  • 封装:0505(1412 公制)
  • ATF-331M4-TR1的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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