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AT-64023
  • 制造厂商:博通半导体公司(BROADCOM)
  • 类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 射频,封装:4-SMD(230 密耳 BeO)
  • 技术参数:RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0
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  • 参数详情:

    AT-64023是Broadcom(原安华高)推出的一款NPN射频功率晶体管,采用表面贴装型氧化铍陶瓷封装。其核心卖点在于能够提供高达3W的射频输出功率,并支持最高200°C的结温工作,适用于要求中等功率和良好散热性能的射频电路。

    该器件在110mA、8V条件下具备最小值为20的直流电流增益,最大集电极电流为200mA,集射极击穿电压为20V,为射频放大应用提供了稳定的电气基础。其230密耳的氧化铍封装确保了优异的热管理能力,适合集成在空间紧凑、散热要求高的VHF/UHF频段通信设备中。

  • 制造商产品型号:AT-64023
  • 制造商:Broadcom博通半导体(Avago Technologies 安华高)
  • 描述:RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压-集射极击穿(最大值):20V
  • 频率-跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
  • 增益:-
  • 功率-最大值:3W
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):20 @ 110mA,8V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):200mA
  • 工作温度:200°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:4-SMD(230 密耳 BeO)
  • AT-64023的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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