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AT-41535G供应商

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AT-41535G

制造厂商：博通半导体公司（BROADCOM）

类别封装：RF晶体管，35

技术参数：TRANSISTOR NPN BIPOLAR 35MICRO-X

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参数详情：

AT-41535G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款高性能NPN双极晶体管，采用35 micro-X表面贴装封装。该器件的核心优势在于其高频与低噪声特性，具备高达8GHz的跃迁频率，并在1GHz至4GHz频段内提供1.3dB至3dB的优异噪声系数表现。

同时，它可提供10dB至18dB的增益范围，最大集电极电流为60mA，功耗为500mW。这些参数使其成为射频前端放大电路的理想选择，尤其适用于需要高灵敏度与高信号完整性的无线通信设备。

制造商产品型号：AT-41535G

制造商：Broadcom博通半导体（Avago Technologies 安华高）

描述：TRANSISTOR NPN BIPOLAR 35MICRO-X

系列：-

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

频率 - 跃迁：8GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益：10dB ~ 18dB

功率 - 最大值：500mW

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，8V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60mA

安装类型：表面贴装

产品封装：4-SMD（35 micro-X）

供应商器件封装：35 micro-X

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