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ARE6-9831-0JL00

制造厂商：博通半导体公司（BROADCOM）

类别封装：红外、紫外和可见光发射器，波长：945nm

技术参数：HIGH POWER IRLED, 945NM, 80DEG

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参数详情：

ARE6-9831-0JL00是Broadcom（安华高科技）推出的一款高功率红外发光二极管（IRLED）。该器件在1A驱动电流下可提供高达630mW/sr的最小辐射强度，并具备80°的宽视角，能够输出覆盖范围广、强度高的945nm红外光。

其电气特性支持最大1.5A的正向电流，典型正向电压为2.95V。器件采用表面贴装封装，工作温度范围覆盖-40°C至120°C，确保了在各类严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于需要高性能隐蔽照明的工业与消费电子应用。

制造商产品型号：ARE6-9831-0JL00

制造商：Broadcom博通半导体（Avago Technologies 安华高）

描述：HIGH POWER IRLED, 945NM, 80DEG

产品系列：红外、紫外和可见光发射器

包装：卷带（TR）,剪切带（CT）

系列：ARE6-xxx1-0xx00

零件状态：有源

类型：红外（IR）

电流-DC正向(If)（最大值）：1.5A

不同If时最小辐射强度(Ie)：630mW/sr @ 1A

波长：945nm

电压-正向(Vf)（典型值）：2.95V

视角：80°

方向：顶视图

工作温度：-40°C ~ 120°C

安装类型：表面贴装型

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