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ARE6-8831-0JL00

制造厂商：博通半导体公司（BROADCOM）

类别封装：红外、紫外和可见光发射器，波长：855nm

技术参数：HIGH POWER IRLED, 855NM, 80DEG

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参数详情：

ARE6-8831-0JL00是Broadcom（安华高）推出的一款高功率红外发光二极管（IRLED）。该器件发射波长为855nm，在1A驱动电流下可提供最小630mW/sr的辐射强度，具备强大的红外光输出能力。

其设计支持高达1.5A的最大正向电流，典型正向电压为3.05V，并拥有80°的宽视角。采用表面贴装封装，工作温度范围覆盖-40°C至120°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于需要高强度、非可见光照明的各类工业和消费电子应用。

制造商产品型号：ARE6-8831-0JL00

制造商：Broadcom博通半导体（Avago Technologies 安华高）

描述：HIGH POWER IRLED, 855NM, 80DEG

产品系列：红外、紫外和可见光发射器

包装：卷带（TR）,剪切带（CT）

系列：ARE6-xxx1-0xx00

零件状态：有源

类型：红外（IR）

电流-DC正向(If)（最大值）：1.5A

不同If时最小辐射强度(Ie)：630mW/sr @ 1A

波长：855nm

电压-正向(Vf)（典型值）：3.05V

视角：80°

方向：顶视图

工作温度：-40°C ~ 120°C

安装类型：表面贴装型

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